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J-GLOBAL ID：201702230019981131   整理番号：17A0751485

高度に規則化した銅Phthalocyanine/paraセキシフェニル薄膜に基づく高性能有機ヘテロ接合フォトトランジスタ【Powered by NICT】

High-Performance Organic Heterojunction Phototransistors Based on Highly Ordered Copper Phthalocyanine/para-Sexiphenyl Thin Films

著者 (13件)： Qian Chuan (Hunan Key Laboratory for Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Sun Jia (Hunan Key Laboratory for Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Sun Jia (State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Kong Ling-An (Hunan Key Laboratory for Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Gou Guangyang (Hunan Key Laboratory for Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Zhu Menglong (Hunan Key Laboratory for Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Yuan Yongbo (Hunan Key Laboratory for Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Huang Han (Hunan Key Laboratory for Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Huang Han (State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Gao Yongli (Hunan Key Laboratory for Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Gao Yongli (Department of Physics and Astronomy, University of Rochester, Rochester, NY, 14627, USA) ,  Yang Junliang (Hunan Key Laboratory for Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China) ,  Yang Junliang (State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha, Hunan, 410083, P. R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 6  ページ： ROMBUNNO.201604933  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能有機ヘテロ接合フォトトランジスタは高度に秩序化した銅フタロシアニン(CuPc)とパラ-セキシフェニル(p 6P)薄膜を用いて作製した。p-6P薄膜はCuPc/p 6Pヘテロ接合フォトトランジスタの性能に重要な役割を果たしている。は高度に秩序化されたCuPc薄膜の成長,電荷輸送を劇的に改善を誘導する分子テンプレート層として作用し,結晶粒界を減少させた。一方,p-6P薄膜はCuPc薄膜,これが光吸収と光生成キャリアを強化する助けとなるを用いた効果的なヘテロ接合を形成することができる。365nm紫外光照射下で,光電流と暗電流の比とCuPc/p 6Pヘテロ接合フォトトランジスタの光応答性は約2.2×10~4および4.3×10~2W~ 1それぞれ約2.7×10~2と7.3A W~ 1のCuPcフォトトランジスタのそれよりもはるかに大きいに達した。電流検出原子間力顕微鏡を用いて行った詳細な研究は,光電流は高度に秩序化したCuPc/p 6Pヘテロ接合結晶粒内に製造されるが,結晶粒間の境界で生成した光電流は無視できることを証明した。研究は,分子テンプレート成長と有機ヘテロ接合の組合せを用いた高性能有機フォトトランジスタを作製するための良い方法を提供する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 暗電流 ,  結晶粒 ,  光生成 ,  *薄膜 ,  紫外線照射 ,  *ヘテロ接合 ,  原子間力顕微鏡 ,  結晶粒界 ,  光電流 ,  *フォトトランジスタ ,  光吸収
準シソーラス用語： 電流検出 ,  光応答 ,  電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 分子テンプレート成長 ,  秩序化薄膜 ,  有機ヘテロ接合 ,  有機フォトトランジスタ

分類 (5件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： 銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (6件)： 規則化 ,  銅 ,  薄膜 ,  高性能 ,  ヘテロ接合 ,  フォトトランジスタ