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J-GLOBAL ID：201702230173333693   整理番号：17A0348526

1V200Vの定電流ダイオードの最適設計を示した。【JST・京大機械翻訳】

Optimal Design of a 200VVertical Current Regulator Diode

著者 (5件)： Liang Tao (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China) ,  Zhang Kang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China) ,  He Yitao (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China) ,  Qiao Ming (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China)
資料名： Weidianzixue  (Weidianzixue)
巻： 46  号： 6  ページ： 822-825  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2386A  ISSN： 1004-3365  CODEN： WEIDFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 定電流ダイオードは,高い動的インピーダンス,良好な定電流性能,および負の温度特性を持ち,電流源,電流源,増幅器,および電子機器の保護回路に広く使用されている。200V垂直垂直ダイオードを設計し,その電気的パラメータをシミュレーションし,ロールの厚さと濃度,チャネル濃度,JFET領域の長さ,物の厚さなどのパラメータを最適化し,端末構造を設計した。最終的に,5V未満のゲート電圧,250Vの破壊電圧,1.5×10(-5)A/ΜMの電流,および良好な定電流特性を有する定電流ダイオードを設計することに成功した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 端末装置 ,  チャネル ,  *最適設計 ,  増幅器 ,  接合形FET ,  インピーダンス ,  電子装置 ,  *電流 ,  最適化 ,  *ダイオード
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  ゲート電圧 ,  保護回路 ,  電流源 ,  温度特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Current regulator diode ,  Constant current characteristics ,  Breakdown voltage ,  Pinch off voltage

分類 (2件)： 光通信方式・機器  (ND10000B) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (2件)： ダイオード ,  最適設計