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J-GLOBAL ID：201702230489053451   整理番号：17A0408163

600nmに拡張された光応答を有するプラズマ支援分子ビームエピタクシーにより合成したPIN InGaNホモ接合(10 40% In)【Powered by NICT】

P-i-n InGaN homojunctions (10-40% In) synthesized by plasma-assisted molecular beam epitaxy with extended photoresponse to 600nm

著者 (18件)： Valdueza-Felip S. (University Grenoble-Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Valdueza-Felip S. (CEA, INAC-PHELIQS, 17 av. des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Valdueza-Felip S. (University of Alcala (GRIFO), Mdr-Bcn Road, km 33.6, 28871 Alcala de Henares, Spain) ,  Ajay A. (University Grenoble-Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Ajay A. (CEA, INAC-PHELIQS, 17 av. des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Redaelli L. (University Grenoble-Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Redaelli L. (CEA, INAC-PHELIQS, 17 av. des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Chauvat M.P. (CIMAP, CNRS-ENSICAEN-CEA-UCBN, 6 Blvd. Marechal Juin, 14050 Caen, France) ,  Ruterana P. (CIMAP, CNRS-ENSICAEN-CEA-UCBN, 6 Blvd. Marechal Juin, 14050 Caen, France) ,  Cremel T. (University Grenoble-Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Cremel T. (CEA, INAC-PHELIQS, 17 av. des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Jimenez-Rodriguez M. (University Grenoble-Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Jimenez-Rodriguez M. (CEA, INAC-PHELIQS, 17 av. des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Jimenez-Rodriguez M. (University of Alcala (GRIFO), Mdr-Bcn Road, km 33.6, 28871 Alcala de Henares, Spain) ,  Kheng K. (University Grenoble-Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Kheng K. (CEA, INAC-PHELIQS, 17 av. des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Monroy E. (University Grenoble-Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Monroy E. (CEA, INAC-PHELIQS, 17 av. des Martyrs, 38000 Grenoble, France)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 160  ページ： 355-360  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 材料上のInモル分率とプラズマ支援分子ビームエピタクシーGaN-オン-サファイア基板上で合成したp-i-n In_xGa_1xNホモ接合(x=0.10 0.40)の電気的特性の影響を報告した。接合はp-GaNでキャップされたデバイスと比較してp-InGaN本改善キャリア抽出効率で終結し,素子性能に及ぼす分極不連続性の有害な効果に起因した。Mgの存在はInGaN中のIn取込を混乱させないことを示し,積層欠陥密度の有意な減少をもたらした。正孔濃度3.2×10~18cm~ 3p In_0 3Ga_0 0.7N層を実証した。InGaNホモ接合素子は青色からオレンジ色スペクトル領域におけるピークEQE=14±2%,拡張カットオフ~600nmを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不連続性 ,  モル分率 ,  ヘテロ接合 ,  マグネシウム ,  *窒化ガリウム ,  積層欠陥 ,  *インジウム ,  *MBE成長 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 正孔濃度 ,  サファイア基板 ,  *ホモ接合 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： InGaN ,  P型MgドープInGaN ,  プラズマ支援分子ビームエピタクシー ,  外部量子効率 ,  ホモ接合 ,  ヘテロ接合 ,  太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 拡張 ,  光応答 ,  プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  InGaN ,  ホモ接合