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J-GLOBAL ID：201702230526262396   整理番号：17A0550229

In-Ga-Zn-O成膜温度が薄膜トランジスタ特性および信頼性に及ぼす影響

著者 (3件)： 田中宏怜 (高知工科大) ,  東龍之介 (高知工科大) ,  古田守 (高知工科大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-412-18  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  *信頼性 ,  *薄膜成長 ,  *温度依存性 ,  電圧変動 ,  熱負荷 ,  負荷試験 ,  バイアス ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  閾値電圧シフト ,  PBTS

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： In-Ga-Zn-O ,  成膜温度 ,  薄膜トランジスタ