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J-GLOBAL ID：201702230541676698   整理番号：17A0738491

透明なAZO/ZnO/ITO抵抗ランダムアクセスメモリ素子の作製とそれらのZnO活性層蒸着の温度依存性スイッチング特性

Fabrication of Transparent AZO/ZnO/ITO Resistive Random Access Memory Devices and Their ZnO Active Layer Deposition Temperature-Dependent Switching Characteristics

著者 (3件)： KIM Kyu Young (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  SHIM Ee Le (Halla Univ., Gangwon-do, KOR) ,  CHOI Young Jin (Sejong Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 10  ページ： 10303-10307  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AZO(2wt%のAlドープZnO)/ZnO/ITO透明抵抗性ランダムアクセスメモリ(RRAM)デバイスのZnO活性層の抵抗スイッチング(RS)特性に対する蒸着温度による欠陥密度および粒度の変化の影響について検討した。AZO/ZnO/ITOキャパシタデバイスを下記の手順で作製した。1)ITOガラスへの20nm厚のZnO薄膜の4つの温度(室温,150,300および450°C)でのRFスパッタリング蒸着,2)150nm厚のAZOのスパタリング蒸着,3)ZnOとAZOの光リソグラフィーとエッチング。RRAMデバイスの抵抗スイッチング特性を-2Vと+2Vとのセット/リセットで評価した。その結果,300°Cで蒸着したデバイスが高い結晶性のために最も優れたRS特性を示した。また,300°Cで蒸着したデバイスは耐久性が劣っていた。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *透明材料 ,  *ガラス ,  *酸化インジウムスズ ,  *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  静電容量 ,  RFスパッタリング ,  蒸着膜 ,  *スイッチング ,  耐久性 ,  *活性層 ,  温度依存性 ,  欠陥密度
準シソーラス用語： *AlドープZnO ,  *ITOガラス ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗ランダムアクセスメモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： Azo ,  ZnO ,  ITO ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  作製 ,  活性層 ,  蒸着 ,  温度依存性 ,  スイッチング特性