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J-GLOBAL ID:201702230584896638   整理番号:17A0365652

反応焼結Si_3N_4SiC複合材料におけるSi_3N_4の形成機構【Powered by NICT】

Formation mechanism of Si3N4 in reaction-bonded Si3N4-SiC composites
著者 (7件):
資料名:
巻: 42  号: 15  ページ: 16448-16452  発行年: 2016年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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反応焼結Si_3N_4SiC材料におけるSi_3N_4の形成機構と熱力学を解析した。Si_3N_4,線維αSi_3N_4と柱状βSi_3N_4の二種類,Si_3N_4SiC材料における異なるプロセスによって形成されている。けい素が酸素と反応し,気体SiOを形成し,酸素分圧を減少させた。SiO(g)はブロックの末梢部分の中心から拡散し,窒素と反応し,その結果,Si_3N_4を形成し,主に末梢積。シリコンと酸素間の反応は酸素の消費を引き起こし,焼結系における低酸素分圧,Si_3N_4in場を生成する直接窒素と反応するシリコンに導いた。SiO(g)は,ブロックの中枢および末梢部で窒素形成Si_3N_4と反応する。Si_3N_4と不均一微細構造の不均一な分布が発生過程に起因する,Si_3N_4SiC複合材料において不可避であることを示している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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セラミック・磁器の性質  ,  セラミック・陶磁器の製造 
タイトルに関連する用語 (2件):
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