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J-GLOBAL ID：201702230690410184   整理番号：17A0275950

SiC T型MOSFETモジュールを用いた50kW高電力密度並列5つのレベルPV変換器【Powered by NICT】

A 50kW high power density paralleled-five-level PV converter based on SiC T-type MOSFET modules

著者 (5件)： Shi Yanjun (The Center for Advanced Power Systems, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, USA) ,  Shi Yuxiang (The Center for Advanced Power Systems, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, USA) ,  Wang Lu (The Center for Advanced Power Systems, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, USA) ,  Xie Ren (The Center for Advanced Power Systems, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, USA) ,  Li Hui (The Center for Advanced Power Systems, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-8  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC T型LCLインバータは,二レベルトポロジーよりも小さいデバイス損失を達成できるが,スイッチング周波数が増加すると出力密度への改善は,磁気成分に及ぼす電流リップル損失により制限されている。この論文は,より高いスイッチング周波数で伝統的なT型三準位(3l)LCLトポロジーよりもSiC素子のより良い利用を達成する並列5つのレベル(P5L)PVインバータを提示した。SiC T型3L LCL PVインバータを有するSiC P5L PVインバータの比較が提示されている。磁気バランス,短絡保護,ディジタルコントローラ計算時間の問題を解決するために設計課題と方法を解析した。ブースト段階とインバータ段を含む50kW PV変換器は実験室,22.7W/in~3と2.5kW/kgのパワー密度を達成し,99.2%のピーク効率を測定しを構築した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： CPU時間 ,  位相幾何学 ,  *MOSFET ,  磁気 ,  *変換器 ,  電流 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： *電力密度 ,  SiC素子 ,  出力密度 ,  スイッチング周波数 ,  *高電力密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  T型 ,  MOSFET ,  モジュール ,  高電力密度 ,  PV ,  変換器