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J-GLOBAL ID：201702230831907335   整理番号：17A0214162

フィラメントに基づくRRAMの基礎的変動限界【Powered by NICT】

Fundamental variability limits of filament-based RRAM

著者 (11件)： Grossi A. (CEA-LETI, Minatec Campus, Grenoble, France) ,  Nowak E. (CEA-LETI, Minatec Campus, Grenoble, France) ,  Zambelli C. (ENDIF, Univ. of Ferrara, Ferrara, Italy) ,  Pellissier C. (CEA-LETI, Minatec Campus, Grenoble, France) ,  Bernasconi S. (CEA-LETI, Minatec Campus, Grenoble, France) ,  Cibrario G. (CEA-LETI, Minatec Campus, Grenoble, France) ,  Hajjam K. El (CEA-LETI, Minatec Campus, Grenoble, France) ,  Crochemore R. (CEA-LETI, Minatec Campus, Grenoble, France) ,  Nodin J.F. (CEA-LETI, Minatec Campus, Grenoble, France) ,  Olivo P. (ENDIF, Univ. of Ferrara, Ferrara, Italy) ,  Perniola L. (CEA-LETI, Minatec Campus, Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 4.7.1-4.7.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗RAM(RRAM)はNANDフラッシュの代替として見られたが,それらの変動性とサイクルを理解することは,主要な障害となっている。成形,セット,リセットとサイクル操作中のマルチkb RRAMアレイの広範な特性化は,固有の変動性因子の定量を行うことができた。結果として,完全な抵抗範囲でフィラメントベースRRAMの基本的変動限界を同定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *フィラメント
準シソーラス用語： NANDフラッシュ ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： フィラメント ,  RRAM ,  基礎 ,  限界