窒素をドープしたCNT/PEDOTを用いた柔軟な書換え可能有機メモリデバイス:PSS複合材料【Powered by NICT】

Rosales-Gallegos I.; Avila-Nino J.A.; Hernandez-Arriaga D.; Reyes-Reyes M.; Lopez-Sandoval R.

文献

J-GLOBAL ID：201702230890511704 整理番号：17A0856489

窒素をドープしたCNT/PEDOTを用いた柔軟な書換え可能有機メモリデバイス:PSS複合材料【Powered by NICT】

Flexible rewritable organic memory devices using nitrogen-doped CNTs/PEDOT:PSS composites

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資料名：
巻： 45 ページ： 159-168 発行年： 2017年
JST資料番号： W1352A ISSN： 1566-1199 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

ポリ(3,4 エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホナート)(PEDOT:PSS)および窒素ドープ多層カーボンナノチューブ(NCNT)ナノ複合材料に基づいた不揮発性書き換え可能な有機メモリ素子を,ガラスとPET基板上に作製した。双安定抵抗スイッチングを用いた有機メモリ素子は,高分子マトリックス中の非常に低いNCTN濃度(~0.002 wt%)を用いて得た。メモリ素子は約三桁,動作電圧≦4V下で10~4sの良好な保持時間と書き込み-読み出し-消去-読み出しサイクルの第百の良好なオン/オフ比を示した。双安定抵抗スイッチングは,主に酸素空孔の生成に起因した。これらの欠陥は,最初の電圧掃引中の底部電極上の薄い自然酸化Al(AlOx)層に導入した。PEDOT:PSS中に浸漬した良く分散したNCNTは,電子輸送のための導電性チャネルとして重要な役割を果たす,AlOx高分子界面における電子トラッピングを妨げ,AlOx層のソフト絶縁破壊を誘導した。これらPEDOT:PSS+NCNTsメモリ素子は柔軟な低コスト技術に適用する容易と大規模集積の可能性を提供することである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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高分子固体の物理的性質 , その他の固体デバイス , 有機化合物の薄膜

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