Le Boulbar E.D. について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, BA2 7AY, UK について
Priesol J. について
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkovicova 3, 81219 Bratislava, Slovakia について
Nouf-Allehiani M. について
Department of Physics, SUPA, Strathclyde University, Glasgow, G4 0NG, UK について
Naresh-Kumar G. について
Department of Physics, SUPA, Strathclyde University, Glasgow, G4 0NG, UK について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, BA2 7AY, UK について
Trager-Cowan C. について
Department of Physics, SUPA, Strathclyde University, Glasgow, G4 0NG, UK について
Satka A. について
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkovicova 3, 81219 Bratislava, Slovakia について
Satka A. について
International Laser Centre, Ilkovicova 3, 84104 Bratislava, Slovakia について
Allsopp D.W.E. について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, BA2 7AY, UK について
Shields P.A. について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, BA2 7AY, UK について
Journal of Crystal Growth について
陰極線ルミネセンス について
発光ダイオード について
エピタクシー について
窒化ガリウム について
形態 について
貫通転位 について
転位密度 について
最適化 について
ファセット について
三次元 について
信頼性 について
半導体 について
サファイア について
成長速度 について
パターン形成 について
A1欠陥 について
A3有機金属化学気相エピタクシー について
A3pendeoエピタクシー について
A3選択的エピタクシー について
B1窒化物 について
B2半導性III-V材料 について
半導体薄膜 について
GaN について
転位 について
強化 について
横方向成長 について
設計 について
製作 について