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J-GLOBAL ID:201702231077231037   整理番号:17A0417518

9.1 0.13pJ K~2分解能FOMを用いた抵抗器ベース温度センサ【Powered by NICT】

9.1 A resistor-based temperature sensor with a 0.13pJ K2 resolution FOM
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: ISSCC  ページ: 158-159  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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温度センサは周波数基準[1-5]の温度補償のためのしばしば使用される。高分解能とエネルギー効率は,重要な要件,前者はジッタを最小化し,後者は既与転化率時間の電力消費を最小化した。MEMS共振器型センサは両基準[1]を満たすが,二共振器を必要とする。原理では,抵抗ベースセンサは,これらの基準を満たす,CMOS互換性が,以前の設計は読出しエレクトロニクスの電力消費[2-4]または1/f雑音[6]により制限される。本論文では,RCフィルタの温度依存位相シフトをディジタル化するCMOS温度センサについて述べた。5ms移行時期の410μK_rms分解能を達成し,160μWのみを消費した。これは0.13pJ K~2の分解能FOMに対応し,以前のCMOSセンサ[6]5倍の改善である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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温度測定,温度計 
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