低コスト送信機向け小型8.5-10.5GHz GaN-on-Si MMIC増幅器

神岡純; 半谷政毅; 中原和彦; 岡崎拓行; 山中宏治

文献

J-GLOBAL ID：201702231270398528 整理番号：17A0246170

低コスト送信機向け小型8.5-10.5GHz GaN-on-Si MMIC増幅器

A Compact 8.5-10.5 GHz GaN-on-Si MMIC Amplifier for a low cost transmitter

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資料名：
巻： 116 号： 432(MW2016 172-187) ページ： 69-73 発行年： 2017年01月19日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

送信機の低コスト化のためには,安価な材料を用いた広帯域で小型な増幅器が求められる。これまでに,高出力なGaN増幅器がレーダや無線通信の分野で多く用いられてきた。GaN増幅器の多くはSiCにGaNをエピタキシャル成長したGaN-on-SiC基板を用いたMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)増幅器であるが,SiC基板が高価であるためにコストが高くなる傾向がある。そこで近年,安価で大口径なシリコン基板を用いたGaN-on-Si増幅器が注目され始めている。本研究においては,GaN-on-Si増幅器のさらなる低コスト化に向けて,広帯域かつ小型なGaN-on-Si MMIC増幅器の設計を目的とした。設計,試作および評価行ったところ,チップサイズ3.92mm²で,8.5-10.5GHzにおいて出力電力34.3dBm以上,利得28.3dB以上,最大電力付加効率28%という結果を得た。3W級では世界最小のMMIC増幅器を実現した。(著者抄録)

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増幅回路

引用文献 (10件)：

E. Ersoy, C. Meliani, S. Chevtchenko, P. Kurpas, M. Matalla, W. Heinrich, “A High-Gain X-Band GaN-MMIC Power Amplifier”, 7th German Microwave Conference 2012.
S. Masuda, M. Yamada, Y. O. Kamada, T. Ohki, K. Makiyama, N. Okamoto, K. Imanishi, T. Kikkawa, and H. Shigematsu, “GaN singlechip transceiver frontend MMIC for X-band applications”, IEEE MTT-S Int. Dig., Jun. 2012, pp. 1-3.
A. Bettidi, A. Cetronio, S. Lavanga, A. Nanni, “A Single Bias 20W S-Band HPA for Radar Applications”, Proc. 5th European Microwave Integrated Circuits Conf., 2010, pp.397-400.
N. Kosaka, H. Uchida, H. Noto, K. Yamanaka, M. Nakayama, K. Kanaya, Y. Nogami, A. Inoue, Y. Hirano, “An S-band GaN on Si High Power Amplifier with 170W Output Power and 70% Drain Efficiency”, 2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2012.
E. Limiti, S. Colangeli, A. Bentini, A. Nanni, “Characterization and modeling of low-cost, high performance GaN-Si technology,” Proc. Int. Conf. Microw., Radar Wireless Commun., May 2012, pp. 599-604.

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