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J-GLOBAL ID:201702231376608172   整理番号:17A0766498

単結晶シリコン太陽電池の出力特性に及ぼすLv背場の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of AI-BSF on Electrical Properties of Monocrystalline Silicon Solar Cells
著者 (4件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 838-841  発行年: 2009年12月 
JST資料番号: C2379A  ISSN: 1001-5868  CODEN: BAGUE5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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PCIDソフトウェアを用いて、N+/P-P+構造の単結晶シリコン太陽電池のLv背場とシリコンウエハの厚さがその出力特性に与える影響をシミュレーションした。結果により,太陽電池は,開路電圧,短絡電流および光電変換効率の明らかな利得を持った。シリコンウエハの厚さが小さいほど,Lv背場の出力特性への影響は大きくなる。シリコンウエハの厚みが120ΜMのとき,最大光電変換効率が得られた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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