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J-GLOBAL ID：201702231485123935   整理番号：17A0759130

ヘテロ構造中のグラフェンと電子移動に及ぼすMoS_2ドメインの温度関連形態学的進化【Powered by NICT】

Temperature-Related Morphological Evolution of MoS₂ Domains on Graphene and Electron Transfer within Heterostructures

著者 (9件)： Wan Wen (Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China) ,  Zhan Linjie (Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China) ,  Xu Binbin (School of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China) ,  Zhao Feng (Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China) ,  Zhu Zhenwei (Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China) ,  Zhou Yinghui (Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China) ,  Yang Zhilin (Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China) ,  Shih Tienmo (Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China) ,  Cai Weiwei (Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 15  ページ： ROMBUNNO.201603549  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二硫化モリブデン(MoS_2)層を合成するためのモリブデン酸塩化合物の良く知られた硫化以外から核三角形領域に全結晶成長の動的プロセスはほとんど実験的に調べた。,厳密なエピタキシャル機構と競合する硫黄捕獲原理併用は初期地形進化とグラフェン(Gr)テンプレート上にMoまたはS終端を持つ三角MoS_2ドメインの最終的な固有高度に配向した成長のために提案した。MoS_2ドメインと裸のGrに対する電位分布をヘテロ構造内の電荷移動に起因する異なることを提示した。調査結果は,2d遷移金属二カルコゲン化物のテンプレートを用いた成長の機構を提供し,エレクトロニクスに適用できる垂直2Dヘテロ構造の合成における一般的な原理を提供した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  硫化 ,  捕獲 ,  *モルフォロジー ,  結晶成長 ,  *モリブデン ,  電子技術 ,  *グラフェン ,  電位分布 ,  モリブデン酸塩 ,  エピタクシー ,  *電子移動
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 競合原理 ,  電子移動 ,  進化 ,  グラフェン ,  二硫化モリブデン

分類 (3件)： 二次電池  (YB04030K) ,  塩  (CD01050V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘテロ構造 ,  グラフェン ,  電子移動 ,  ドメイン ,  形態学 ,  進化