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J-GLOBAL ID：201702231664502141   整理番号：17A0444027

円筒真空チャネルを持つ垂直整列電界放出トランジスタの新しい種類【Powered by NICT】

A new kind of vertically aligned field emission transistor with a cylindrical vacuum channel

著者 (4件)： Shen Zhihua (Key Laboratory for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Wang Xiao (Key Laboratory for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Wu Shengli (Key Laboratory for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Tian Jinshou (State Key Laboratory of Transient Optics and Photonics, Xi’an Institute of Optics and Precision Mechanics of CAS, Xi’an, 710119, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 137  ページ： 163-168  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円筒真空チャネルをもつ垂直に配列した電界放出トランジスタを研究した。この提案したトランジスタのチャネル長さは正確に制御され,空気中の電子の平均自由行程と同程度であることを容易に製作できるデバイスは,性能劣化なしに,空気中で作動できるようにした。研究では,この真空トランジスタは10nm,15nm,及び20nmのゲート誘電体の厚さ及びサブしきい値勾配1.1decの低いしきい値電圧(1.2V,2.2V,及び3.3V)を示した。真空チャネル半径は20nm以下にすることはできないことが分かった,そうでなければ,厳しい性能劣化はゲートシールド(アノード電流の減少をもたらす)と誘電体層(信頼性問題を示す)との電子衝突事象の効果のために現れるであろう。この種真空トランジスタの高温と強い照射のような極端な条件の中でも広い応用性を有するかもしれない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チャネル ,  信頼性 ,  平均自由行程 ,  *電界放出 ,  電子衝突 ,  電流 ,  *トランジスタ ,  高温 ,  *円筒 ,  誘電体 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  サブ閾値 ,  性能劣化 ,  *垂直配向 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 有限積分法(FIT) ,  真空チャネル ,  電界放出トランジスタ

分類 (2件)： 真空技術  (BA02020L) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 真空 ,  チャネル ,  垂直整列 ,  電界放出 ,  トランジスタ