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J-GLOBAL ID：201702231730035164   整理番号：17A0547404

光電気化学反応を利用したn-GaN表面ダメージ層の除去

著者 (4件)： 枝元将彰 (北大 量集セ) ,  松本悟 (北大 量集セ) ,  熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14a-315-2  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  表面 ,  *損傷 ,  除去 ,  *光電気化学反応 ,  Schottky障壁 ,  イオンエッチング
準シソーラス用語： GaN ,  RIBE【エッチング】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光電気化学反応 ,  GaN ,  ダメージ