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J-GLOBAL ID：201702231984113644   整理番号：17A0096619

多結晶界面活性剤が銅ウエハの平坦化に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of multiple amino alcohol surfactant on planarization of copper wafer

著者 (7件)： Yan Chenqi (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology) ,  Liu Yuling (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology) ,  Zhang Jin (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology) ,  Zhang Wenxia (華北理工大学図書館) ,  Wang Chenwei (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology) ,  He Ping (河北工業大学計算机科学及軟件学院) ,  Pan Guofeng (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology)
資料名： Diandu yu Tushi  (Diandu yu Tushi)
巻： 35  号： 16  ページ： 845-849  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1499A  ISSN： 1004-227X  CODEN： DYTUEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 銅化学機械研磨(CMP)における多孔性非イオン界面活性剤の影響を研究するために,銅の化学的機械的研磨(CMP)の分散度,研磨速度,研磨後の膜の高さ,表面不均一性,および表面粗さに及ぼす影響を研究した。スラリーの基本的組成と技術的条件は以下の通りであった。SIO_2(粒径60~70NM)5%(体積分率,以下同じ),多孔性混合剤3%,30%(質量分率)過酸化水素3%,作動圧力1PSI,背圧1PSI,速度87R/MIN。研磨速度は93R/MIN,スラリー流速は300ML/分,研磨時間は60S,研磨温度は23°Cであった。結果は,界面活性剤の導入がスラリーの安定性を向上させることができることを示した。界面活性剤の含有量が3%のとき,研磨速度,研磨面の高さ,表面不均一性,および表面粗さは,それぞれ614.86NM/MIN,76.5NM,3.26%,および0.483NMであり,銅ウエハの平坦化効果が最も良かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学機械研磨 ,  過酸化水素 ,  *界面活性剤 ,  粒径 ,  多孔性 ,  研磨 ,  *銅 ,  体積率 ,  非イオン界面活性剤 ,  不均一性 ,  分散度 ,  *多結晶 ,  スラリー
準シソーラス用語： 研磨速度 ,  *平坦化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： copper ,  wafer ,  chemical mechanical polishing ,  planarization ,  nonionic surfactant ,  mechanism

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多結晶 ,  界面活性剤 ,  銅 ,  ウエハ ,  平坦化