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J-GLOBAL ID：201702231984142149   整理番号：17A0095304

レーザアニーリングはNI/4H-SICオーム接触を形成した。【JST・京大機械翻訳】

Ni /4H-SiC Ohmic Contact Formed by Laser Annealing

著者 (6件)： Liu Min (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  He Zhi (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Niu Yingxi (Power Semiconductors Department,Global Energy Interconnection Research Institute) ,  Wang Xiaofeng (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Fei (Power Semiconductors Department,Global Energy Interconnection Research Institute) ,  Yang Fuhua (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 9  ページ： 690-694  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： パルスレーザ焼なましには,高い温度と深さの利点があり,SICのオーム接触の調製は,基板の背面構造に及ぼす高温の影響を無視することができ,その結果,デバイスの性能を改善することができる。波長が532NMの固体ND:YAGレーザを用いてNI/4H-SIC構造をアニールし、レーザーパルスエネルギーとパルス数がオーム接触に与える影響を分析した。実験結果は,レーザパルスエネルギーがNI/4H-SICオーム接触の形成に重要な役割を果たし,パルスエネルギーが1より高いことを示した。8J/CM2のレーザビームはオーム接触を形成する可能性がある。エネルギーが小さすぎるレーザパルスに対しても,パルス数を増加させてもオーム接触はできない。レーザパルスエネルギーは2である。3J/CM2のパルス数と60のパルス数で良好なオーム接触が形成され,接触抵抗は4であった。8×10(-5)ΩCM2であった。レーザパルスエネルギーは3である。6J/CM2の場合,単一パルスはオーム接触を達成し,接触抵抗は7であった。0×10(-5)ΩCM2であった。パルス数が少ないほど、パルスエネルギーが高いほど、レーザー焼なまし方式のトータルエネルギー消費は相対的に少なく、エネルギー効率が高い。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： レーザビーム ,  *Ohm接触 ,  エネルギー効率 ,  YAGレーザ ,  レーザパルス ,  パルス ,  接触抵抗 ,  高温 ,  *レーザアニーリング ,  全エネルギー ,  波長
準シソーラス用語： パルスエネルギー ,  パルス数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： laser annealing ,  Ni /4H-SiC ,  ohmic contact ,  energy threshold ,  power efficiency

分類 (1件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (3件)： レーザアニーリング ,  Ni ,  オーム接触