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J-GLOBAL ID:201702232034053596   整理番号:17A0754701

電着法によるCu_2O薄膜の制御された成長【Powered by NICT】

Controlled growth of Cu2O thin films by electrodeposition approach
著者 (13件):
資料名:
巻: 63  ページ: 203-211  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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コンパクトなナノ粒子の波状表面特性から成るCu_2Oの薄膜を,容易で費用対効果に優れた電着法を用いて合成した。よく整列した結晶方位をもつ明確な表面形態は制御された電着パラメータを得た。ピーク力A FM画像と結合した高分解能A FMはCu_2Oナノ構造膜のナノ機械的および化学的特性をマップ化した。堆積したままの薄膜の構造的,光学的,および組成分析は,バルクCu_2O材料を示した。電着法は,環境条件下で非断続的に進行すると,波状特性を持つCu_2Oの薄膜を堆積する容易で経済的な方法を提供する。光ルミネセンス寿命はCu_2O膜0.8 1 3nsの範囲で非常に短いことが見出された。Mott-Schottky測定はp型伝導を示し,キャリア密度は約2×10~18であることが分かった。観察された光ルミネセンス寿命,及びキャリア密度は,効率的な正孔伝導としてCu_2O膜,太陽電池と水分解デバイスの光電極材料を実現する助けとなるであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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