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J-GLOBAL ID：201702232073621701   整理番号：17A0703542

2次元黒りんとAl_2O_3誘電体間の相互作用の第一原理研究【Powered by NICT】

A first principles study of the interaction between two-dimensional black phosphorus and Al₂O₃ dielectric

著者 (5件)： Sun Jie (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China. [e-mail] [e-mail]) ,  Lin Na ,  Tang Cheng ,  Ren Hao ,  Zhao Xian
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 23  ページ： 13777-13783  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 環境条件に曝した時剥離黒りん(BP)の化学的分解は,BP表面にAl_2O_3誘電体の堆積を介して効果的に抑制できた。BP層とAl_2O_3誘電体の間の相互作用をよく理解することは,実用的デバイスへの応用にとって重要である。提示した論文では,第一原理計算はAl終端とヒドロキシル化Al_2O_3(0001)表面上のBPの構造,エネルギー,および電子的性質を調べるために実施した。著者らの計算は,単一層BPのバンドギャップはAl終端とヒドロキシル化Al_2O_3表面の堆積それぞれ,主にBPとAl_2O_3表面間の層間電荷移動に起因する後約160meVと92meV増大であることを示している。しかし,バンドギャップのこの傾向はBP層の数を増やすことにより反転した。に加えて,数層(2 4層)BP/Al_2O_3系の価電子帯オフセットが単層BP/Al_2O_3システムのそれよりも約0.5 0.9eV大きく,これは注入障壁を生成するためのにより適している。BP/Al_2O_3系のバンドギャップは,実用的な応用のための外部電場を用いて調整することができた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *相互作用 ,  オフセット ,  *アルミニウム ,  *二次元 ,  堆積 ,  *第一原理 ,  ヒドロキシ化 ,  *黒リン ,  電荷移動 ,  計算 ,  単一層 ,  *誘電体 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 外部電場 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 2次元 ,  黒りん ,  誘電体 ,  相互作用 ,  第一原理 ,  研究