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J-GLOBAL ID：201702232634724510   整理番号：17A0448982

結晶,SbをドープしたZnO膜の電気的および光学的性質に及ぼすSb/Znのモル比の影響【Powered by NICT】

Influence of molar ratio of Sb/Zn on the crystal, electrical and optical properties of Sb-doped ZnO films

著者 (5件)： Cheng Yi (Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, 116026, People’s Republic of China) ,  Yang Kun (Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, 116026, People’s Republic of China) ,  Chen Jixiang (Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, 116026, People’s Republic of China) ,  Che Li (Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, 116026, People’s Republic of China) ,  Zhang Xizhen (Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, 116026, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 690-694  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sbドープp型ZnO膜を,有機金属化学蒸着法によってサファイア基板上に成長させた。結晶に及ぼすSb/Znのモル比,SbドープZnO膜の電気的および光学的性質の影響を,X線回折(XRD),Hall測定システム,光吸収および光ルミネセンス分光法により調べた。XRDパターンは,全てのSbドープZnO膜は強いc軸配向優先を持つ多結晶構造を明らかにした。電気的測定結果は,SbドープZnO膜はp型電気特性を示し,キャリア濃度は10~-17 10~ 18cm~ 3範囲であることを示した。低温光ルミネセンス測定は,SbドープZnO膜中のSbの存在を確認した。SbをドープしたZnO膜の光ルミネセンススペクトルは3.243eVでの自由電子とアクセプタピーク間の遷移,3.319eVのアクセプタ束縛励起子ピークと3.200eVでのドナー-アクセプタ対励起子を明らかにした。Sbアクセプタの熱結合エネルギーは0.19eVであると推定された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  光ルミネセンス ,  X線回折 ,  *アンチモン ,  *モル比 ,  ドナー-アクセプタ対 ,  キャリア密度 ,  *ドーピング ,  多結晶 ,  MOCVD ,  励起子 ,  光吸収 ,  *酸化亜鉛 ,  アクセプタ
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SbをドープしたZnO膜 ,  MOCVD ,  X線回折 ,  光ルミネセンス ,  結合エネルギー

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 結晶 ,  Sb ,  ドープ ,  ZnO ,  光学的性質 ,  Zn ,  モル