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J-GLOBAL ID：201702232683327983   整理番号：17A0407100

CH_3NH_3PbI_3膜の高圧アニーリング誘起再結晶機構に関する研究【Powered by NICT】

Investigation on the high pressure annealing induced re-crystallization mechanism of CH₃NH₃PbI₃ film

著者 (8件)： Lu Junjian (Department of Chemistry and Materials Science, Hunan University of Humanities, Science and Technology, Loudi 417000, People’s Republic of China) ,  Wan Meixiu (Department of Chemistry and Materials Science, Hunan University of Humanities, Science and Technology, Loudi 417000, People’s Republic of China) ,  Wen Ping (Department of Chemistry and Materials Science, Hunan University of Humanities, Science and Technology, Loudi 417000, People’s Republic of China) ,  Luo Fei (Department of Chemistry and Materials Science, Hunan University of Humanities, Science and Technology, Loudi 417000, People’s Republic of China) ,  Liu Xin (Department of Chemistry and Materials Science, Hunan University of Humanities, Science and Technology, Loudi 417000, People’s Republic of China) ,  Wen Jin (Department of Chemistry and Materials Science, Hunan University of Humanities, Science and Technology, Loudi 417000, People’s Republic of China) ,  Hu Chuanyue (Department of Chemistry and Materials Science, Hunan University of Humanities, Science and Technology, Loudi 417000, People’s Republic of China) ,  Guo Jun (Department of Chemistry and Materials Science, Hunan University of Humanities, Science and Technology, Loudi 417000, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 694  ページ： 1365-1370  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CH_3NH_3PbI_3膜の高圧アニーリング誘起再結晶機構をSEM,UV-vis吸収スペクトル,およびX線回折(XRD)によりそれぞれ調べた。,80分間100°Cで6kPaの圧力下でアニールした,CH_3NH_3PbI_3結晶はメソ多孔性ポリプロピレン(PP)膜の表面に同じ方向に配向していた。これらPP/CH_3NH_3PbI_3複合膜は可視から近赤外の異なる集光性能力を示した。6kPaの同一圧力下で種々のアニーリング時間で100°CでアニールしたCH_3NH_3PbI_3の強度比I_110/I_220とI_220/I_310の変化も詳細に調べた。従来法で調製した膜と比較して,高圧アニーリング誘起CH_3NH_3PbI_3膜は中程度に湿潤な環境条件(25% RH)で良好な安定性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  *焼なまし ,  *結晶 ,  湿潤 ,  *再結晶 ,  複合膜 ,  吸収スペクトル ,  近赤外線 ,  *高圧
準シソーラス用語： 環境条件 ,  光捕集 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子材料 ,  Semiconductors ,  圧力誘起 ,  CH_3NH_3PbI_3

分類 (1件)： その他の金属組織学  (WB01040Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高圧 ,  アニーリング ,  誘起 ,  再結晶 ,  研究