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J-GLOBAL ID:201702232751734047   整理番号:17A0407821

効率増強された光触媒H_2発生活性のg C_3N_4フレームワークへの新しい金属を含まない中間層を組み込んだ【Powered by NICT】

Incorporating a novel metal-free interlayer into g-C3N4 framework for efficiency enhanced photocatalytic H2 evolution activity
著者 (7件):
資料名:
巻: 203  ページ: 65-71  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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黒鉛窒化炭素(g C_3N_4)は最近その独特な利点と光触媒の分野で広い応用のために研究のホットスポットとなっている。しかし,伝統的な二次元g C_3N_4材料の光触媒活性は,光生成電荷キャリアの相対的に狭い可視光応答領域と高い再結合確率のために不満足である。,g C_3N_4フレームワークに組み込まれた新しい非金属中間層は前駆体,g C_3N_4よりH_2発生の光触媒性能を大幅に高めるとしてβ-シクロデキストリン(β CD)とメラミンの熱重合により作製に成功した。対応する特性化法は中間層は酸素contained黒鉛化炭素と同様に強化された光触媒活性この無金属中間層導入による狭いバンドギャップ,負のシフトした伝導帯位置と効率的な電荷移動に起因するから構成されていることを示した。中間層とg C_3N_4間のCOC結合の形をもたらすだけでなく,中間層を埋めるとπ共役系,電荷キャリア移動と分離を容易にすることを広げることができる。H_2進化のための他の高性能,低コストおよび金属を含まない光触媒を構築するための新しい洞察を提供することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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光化学反応  ,  光化学一般 
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