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J-GLOBAL ID：201702232872279043   整理番号：17A0165332

SI-SI薄膜の構造と特性に及ぼすRFパワーの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Radio-frequency Power on Bond Structures and Properties of Silicon-rich Silicon Nitride Thin Films

著者 (5件)： Wuren Tuya (Key Laboratory of Physics and Chemistry for Functional Material,College of Physics and Electron Information, Inner Mongolia Normal University) ,  Zhou Bingqing (Key Laboratory of Physics and Chemistry for Functional Material,College of Physics and Electron Information, Inner Mongolia Normal University) ,  Gao Aiming (Key Laboratory of Physics and Chemistry for Functional Material,College of Physics and Electron Information, Inner Mongolia Normal University) ,  Bu Xinxin (Key Laboratory of Physics and Chemistry for Functional Material,College of Physics and Electron Information, Inner Mongolia Normal University) ,  Ding Desong (Key Laboratory of Physics and Chemistry for Functional Material,College of Physics and Electron Information, Inner Mongolia Normal University)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 45  号： 9  ページ： 2322-2325  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： プラズマ強化化学気相成長法を用いて,SIH_4,NH_3およびN_2を反応源として用いて,SI-SI-SI薄膜をRFパワーを変えることによって調製した。FOURIER変換赤外吸収スペクトル,紫外可視光透過スペクトル,走査型電子顕微鏡を用いて,薄膜の構造と性質を特性評価した。実験結果は,RFパワーが増加するにつれて,膜厚が徐々に減少し,秩序度が増加し,SI-H結合とN-H結合が減少し,SI-N結合が増加することを示した。分析結果により、適量のRFパワーの増加はサンプルの反応速度を向上させ、薄膜の規則度を増加させ、緻密性を増強させ、薄膜の品質を向上させるが、高RFパワーは薄膜の品質を劣化させることが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 可視光 ,  キャラクタリゼーション ,  プラズマ ,  反応速度 ,  膜厚 ,  化学蒸着 ,  品質 ,  規則度 ,  赤外吸収スペクトル ,  走査電子顕微鏡 ,  *薄膜
準シソーラス用語： N-H結合 ,  透過スペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： silicon-rich silicon nitride thin film ,  plasma enhanced chemical vapor deposition ,  radiofrequency power ,  deposition rate

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： RF ,  パワー ,  研究