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J-GLOBAL ID：201702232930180609   整理番号：17A0473560

GaInAsSb熱光起電力電池の製作のための表面の抑制「死領域」【Powered by NICT】

Suppression of the surface “dead region” for fabrication of GaInAsSb thermophotovoltaic cells

著者 (6件)： Tang Liangliang (College of Energy and Electrical Engineering, Hohai University, Nanjing 210098, China) ,  Xu Chang (College of Energy and Electrical Engineering, Hohai University, Nanjing 210098, China) ,  Liu Zhuming (Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Lu Qi (Quantum Technology Centre, Physics Department, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, UK) ,  Marshall Andrew (Quantum Technology Centre, Physics Department, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, UK) ,  Krier Anthony (Quantum Technology Centre, Physics Department, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, UK)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 163  ページ： 263-269  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n Ga_0 0.78In_0 22As_0 2Sb_0 8エピタキシャル膜中のZn拡散過程は,異なる拡散源を用いて研究した,単一および二重ハンプZnプロファイルの系列が得られた。V族原子(AsおよびSb)は表面「死領域」抑制にほとんど影響を及ぼさないことが分かった。両者はIII族原子がGaとIn原子は拡散に完全に異なる影響を持つ。「死領域」は,Gaリッチ条件下で完全に抑制されるが,抑制はInリッチ条件下で起こらないであろう。GaInAsSb細胞は,純粋なZnとGaリッチ条件下で作製した。細胞試験のために作られる電気加熱熱光起電力システム。1055°CSiNセラミックエミッタからの照射下で,Gaリッチ条件で得られたGaInAsSb電池の出力密度は純Zn条件下で得られた細胞,GaInAsSb細胞は,Gaリッチ条件下で正確なエッチング無しで作成可能であることを示したよりはるかに大きかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ガリウム ,  *電池 ,  *インジウム ,  亜鉛 ,  電気加熱 ,  エッチング ,  拡散過程
準シソーラス用語： 出力密度 ,  *熱光起電力 ,  *熱光起電力電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Zn拡散 ,  GaInAsSb ,  熱光起電力電池

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱光起電力電池 ,  製作 ,  死