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J-GLOBAL ID:201702233119268283   整理番号:17A0736542

圧電薄膜特性パラメータの測定方法【JST・京大機械翻訳】

Measurement Methods for Piezoelectric Coefficient of Piezoelectric Thin Films
著者 (3件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 608-612  発行年: 2009年 
JST資料番号: C2465A  ISSN: 1004-2474  CODEN: YASHE7  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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電子部品の小型、高感度、集積などの方向の発展に従い、薄膜材料とデバイスはマイクロコンピュータ電気(MEMS)システムに広く応用されているが、圧電薄膜の特性パラメータを測定する方法は体材料と比べて大きく異なる。圧電薄膜の特性パラメータを測定するための2つの方法を紹介した。直接測定法(腔圧力法、カンチレバー法、レーザー干渉法とレーザードップラー法)と間接測定法(従来のインピーダンス分析法)を含み、これらの方法の基本原理、試験特性、応用状況及び存在する問題を詳細に分析し、これらの方法のメリットとデメリットを比較した。また,将来の圧電薄膜の特性パラメータの試験特性を予測した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (3件):
分類 (2件):
分類
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圧電デバイス  ,  固体デバイス製造技術一般 
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