文献

J-GLOBAL ID：201702233124305160   整理番号：17A0124427

Xバンド逆F級GaN内部整合電力増幅器【Powered by NICT】

X-band inverse class-F GaN internally-matched power amplifier

著者 (8件)： Zhao Bochao (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Lu Yang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Han Wenzhe (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zheng Jiaxin (School of Advanced Material and Nanotechnology, Xidian University) ,  Zhang Hengshuang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Ma Peijun (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Ma Xiaohua (School of Advanced Material and Nanotechnology, Xidian University) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 9  ページ： 097306-1-097306-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Xバンド逆F級電力増幅器を1mm AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)により実現した。,特に出力キャパシタC(ds),トランジスタ内部の固有および寄生成分をXバンドでの高調波インピーダンスが大きく影響を受けるので,補償設計は,現在の光源面上の逆F級の高調波条件を満たすために使用されている。実験の結果は,連続波モードでは,電力増幅器は61.7%の電力付加効率(PAE),EMTの同種により実現したAB級電力増幅器よりも16.3%高いを達成することを示した。著者らの知識の及ぶ限りでは,これは最初の逆F級GaN内部整合電力増幅器であり,PAEであるXバンドで非常に高かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力付加効率 ,  インピーダンス ,  コンデンサ ,  光源 ,  トランジスタ ,  *窒化ガリウム ,  連続波 ,  HEMT ,  高調波 ,  *電力増幅器
準シソーラス用語： AB級 ,  AlGaN/GaN ,  F級増幅器 ,  *Xバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN内部整合電力増幅器 ,  逆F級 ,  補償設計 ,  Xバンド電力増幅器

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： Xバンド ,  GaN ,  整合 ,  電力増幅器