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J-GLOBAL ID：201702233216645217   整理番号：17A0758056

SiCパワーMOSFETのUIS破壊機構【Powered by NICT】

UIS failure mechanism of SiC power MOSFETs

著者 (7件)： Fayyaz Asad (Power Electronics, Machines and Control (PEMC) Group, University of Nottingham, Nottingham, UK) ,  Castellazzi Alberto (Power Electronics, Machines and Control (PEMC) Group, University of Nottingham, Nottingham, UK) ,  Romano Gianpaolo (Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University of Naples Federico II, Naples, Italy) ,  Riccio Michele (Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University of Naples Federico II, Naples, Italy) ,  Irace Andrea (Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University of Naples Federico II, Naples, Italy) ,  Urresti Jesus (Emerging Technologies and Materials (ETM) Group, Newcastle University, Newcastle Upon Tyne, UK) ,  Wright Nick (Emerging Technologies and Materials (ETM) Group, Newcastle University, Newcastle Upon Tyne, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WiPDA  ページ： 118-122  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンクランプ誘導スイッチング(UIS)試験領域下のなだれ破壊中のSiC電力MOSFETの破壊機構を調べた。電動機駆動応用に設置されたスイッチは,望ましくないなだれブレークダウン事象を経験する。アバランシェ凹凸をスナッバ回路不要コンバータ設計を可能にするパワーデバイスの重要な特徴である,また,自動車などのある種の応用における望ましい特徴である。は,デバイス設計と技術変化を知らせるために,それらのロバスト性のより良い理解障害の原因となるそれらの対応する根底にある物理的機構のより重要なことのためのSiCパワーMOSFETを徹底的に特徴づけることが重要である。故障と2D TCADシミュレーション結果でUIS中の実験的結果を本研究で提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング ,  変換器 ,  *炭化ケイ素 ,  ロバスト性 ,  電動機駆動 ,  シミュレーション ,  スイッチ ,  自動車 ,  スナバ回路
準シソーラス用語： TCAD ,  デバイス設計 ,  パワーデバイス ,  *破壊機構 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  パワーMOSFET ,  破壊