文献
J-GLOBAL ID:201702233217587305   整理番号:17A0445397

LiNbO_3/Nb_2O_5多結晶膜のn型伝導PTOの温度転移【Powered by NICT】

Temperature transition of p- to n- type conduction in the LiNbO3/Nb2O5 polycrystalline films
著者 (6件):
資料名:
巻: 191  ページ: 35-44  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
LiNbO_3とNb_2O_5,二相の任意の結晶方位を持つ薄い多結晶膜(~300 nm)は,制御されたAr/O_2環境下でラジオ周波数マグネトロンスパッタリング(RFMS)法を用いて作製した。非組織化Nb_2O_5相の量は反応性ガス混合物中の酸素含有量を減少させる40~20%LiNbO_3/Nb_2O_5膜で20%減少した。作製した強誘電体膜は「地方ドメイン組織」,すなわち極性軸の同一方向を持つ結晶粒の面積示した。H all測定は二種類のキャリア(正孔と電子)のを作製しLiNbO_3/Nb_2O_5膜に存在し,多数電荷キャリアの型は温度の上昇と共に低温(~50 K)における正孔から電子にであることを示唆した。低温では電荷輸送は温度での正孔濃度N_=6.51015cm~ 3のバルク結晶粒の特性によって影響されるT>200K伝導率は印加磁場に関係なく粒間障壁φ_=0.13eVにより制限される。Nb_2O_5相の存在について研究した膜のn型伝導PTOの転移温度の原因である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
塩基,金属酸化物  ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  ,  セラミック・磁器の性質 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る