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J-GLOBAL ID：201702233253500606   整理番号：17A0402802

表面処理により改質されたInGaAs/GaAs金属-酸化物-半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタの特性【Powered by NICT】

Properties of InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors modified by surface treatment

著者 (9件)： Gregusova D. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia) ,  Gucmann F. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia) ,  Kudela R. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia) ,  Micusik M. (Polymer Institute of Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84541, Slovakia) ,  Stoklas R. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia) ,  Valik L. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia) ,  Gregus J. (Faculty of Mathematics, Physics and Informatics, Comenius University, Mlynska dolina, Bratislava SK-84248, Slovakia) ,  Blaho M. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia) ,  Kordos P. (Institute of Electronics and Photonics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology STU, Ilkovicova 3, Bratislava SK-81219, Slovakia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 140-144  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsベースヘテロ構造は優れたキャリア輸送特性,主に高キャリア速度を示した。InGaAsチャネルをもつAlGaAs-GaAsヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)を有機金属化学気相堆積(MOVPE)を用いて調製した。AlOx層AlGaAs/InGaAs成長直後のMOVPE成長におけるその場堆積した薄いAl層の空気酸化によるAlGaAs障壁層上に形成した。HFETとMOSHFETは10~11cm~ 2eV~ 1のオーダーの非常に低いトラップ状態密度を示した。静電容量測定は,HFETとMOSHFET構造間に有意差を生じなかった。AlOx層の形成は,GaとAs自然酸化物から生じる表面状態を除去する部分的に表面を改質した。AlOx層の存在は,減少したゲート漏れ電流,二端子トランジスタ測定によって証明されたように反映した。提示した調製法とデバイス特性はAlGaAs/InGaAsベースMOSHFETの大きな可能性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  MOCVD ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *ガリウム ,  アルミニウム ,  状態密度 ,  *ヒ素 ,  空気酸化 ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  MOSHFET ,  バリア層 ,  HFET ,  キャリア輸送 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 表面処理 ,  III-V族半導体 ,  ひ化ガリウム ,  ヘテロ構造電界効果トランジスタ ,  トランジスタ特性 ,  トラップ状態密度

分類 (3件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 表面処理 ,  改質 ,  InGaAs ,  GaAs ,  酸化物 ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ