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J-GLOBAL ID：201702233528083109   整理番号：17A0158517

マグネトロンスパッタリングにより堆積したW-TI薄膜の構造と特性を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Structure and properties of W-Ti thin films deposited by magnetron sputtering

著者 (4件)： Sun Guoqi (School of Materials Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology) ,  Sun Yong (School of Materials Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology) ,  Guo Zhongzheng (School of Materials Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology) ,  Duan Yonghua (School of Materials Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology)
資料名： Jinshu Rechuli  (Jinshu Rechuli)
巻： 41  号： 10  ページ： 90-94  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2061A  ISSN： 0254-6051  CODEN： JRECDB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 異なるTI含有量をもつW-TI薄膜を,P型(100)単結晶シリコン基板上に,複合膜のマグネトロンスパッタリングによって調製し,そして,純タングステンおよび純TI膜と比較した。XRD,SEM,AFM,微小硬度計,および4プローブ抵抗器を用いて,薄膜の構造,組成,および特性を分析した。結果は,W-TI薄膜がW-TI薄膜を形成し,TI含有量が低いとき,W-TI薄膜がW-TI構造を持ち,WベースのW(TI)固溶体が存在することを示した。TI含有量が高い場合には,HCPリッチTI相が現れる。W-TI薄膜の微小硬さはTI含有量の増加とともに増加し,一方,抵抗率はTI含有量の増加と共に増加した。W-TI膜の微小硬さは純TI膜よりも高く,抵抗率は純W膜よりも高く,純TI膜よりも低かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  固溶体 ,  *薄膜 ,  微小硬さ ,  電気抵抗率 ,  プローブ ,  複合膜 ,  抵抗器 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  単結晶シリコン

著者キーワード (5件)： W-Ti thin films ,  magnetron co-sputtering ,  structure ,  microhardness ,  resistivity

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： マグネトロンスパッタリング ,  堆積