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J-GLOBAL ID：201702233565257816   整理番号：17A0868322

清浄およびS修飾MoP(010)上でのチオフェン水素化脱硫への洞察:周期的密度汎関数理論研究【Powered by NICT】

Insight into thiophene hydrodesulfurization on clean and S-modified MoP(010): a periodic density functional theory study

著者 (7件)： Li Guixia (College of Science, China University of Petroleum, Qingdao 266580, Shandong, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhao Lianming ,  Zhu Houyu ,  Liu Xiuping ,  Ma Huifang ,  Yu Yanchen ,  Guo Wenyue
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 26  ページ： 17449-17460  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 清浄およびS修飾MoP(010)上でのチオフェンの水素化脱硫(HDS)はHDS機構としての周期的密度汎関数理論(DFT)を用いて表面硫黄(S)原子効果を理解するために調べた。結果は,チオフェンは清浄およびS修飾表面の両方に強く平坦な吸着を好み,分子状態あるいは解離状態のいずれか一つのC-S結合を同時に破れ,チオフェンの吸着は,表面S原子によって弱められたわずかにできることを示した。熱力学的および速度論的解析は,分子と解離吸着状態の両方におけるチオフェンのHDSは直接脱硫(DDS)経路よりもむしろ清浄およびS修飾MoP(010)表面上の水素化に沿って起こることを好むことを示した。表面SはMoP(010)のHDS触媒活性に及ぼす促進効果を示し,DDS経路に対する律速段階のエネルギー障壁/速度定数はS改質下で減少し/拡大である。MoP(001)の状況と比較して,MoP(010)は,比較的低いHDS活性を持たねばならない,より高いエネルギー障壁と同様に弱い発熱性は後者の表面上での反応に含まれるからである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *水素化脱硫 ,  *モリブデン化合物 ,  *リン化物 ,  ファセット ,  *密度汎関数法 ,  *清浄面 ,  表面構造 ,  物理吸着 ,  化学吸着 ,  熱力学的性質 ,  速度論 ,  化学結合 ,  開裂反応 ,  脱離反応 ,  水素化 ,  発熱反応 ,  *表面改質 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： C-S結合 ,  吸着構造 ,  結合開裂

分類 (2件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  精製プロセス  (YF02050E)

物質索引 (1件)： チオフェン

タイトルに関連する用語 (6件)： 修飾 ,  チオフェン ,  水素化脱硫 ,  洞察 ,  密度汎関数理論 ,  研究