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J-GLOBAL ID：201702233620906929   整理番号：17A0306669

エピ-GaN(0001)/サファイヤ基板上の単結晶アナターゼTiO₂薄膜のヘテロエピタキシャル成長と特性評価

Heteroepitaxial growth and characterization of monocrystal anatase TiO₂ films on epi-GaN (0001)/sapphire substrates

著者 (5件)： ZHAO Wei (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  FENG Xianjin (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  LUAN Caina (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  XIAO Hongdi (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  MA Jin (Shandong Univ., Jinan, CHN)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 2  ページ： 1082-1088  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶a-TiO₂薄膜をエピ-GaN/サファイヤ基板上にMOCVDで蒸着した。XRDのθ-2θ解析により薄膜の構造と結晶性は基板温度の強い影響を受けることがわかった。650°Cで成長させた薄膜は純粋なa-TiO₂で,単一の方位[001]を持つ最良の結晶性をしめした。XRDのΦ-スキャンにより薄膜中に複数のドメイン構造があることがわかった。面内の等しく可能性のあるエピタキシャル方位関係を明らかにした。薄膜は化学量論組成のTiO₂であった。TiO₂薄膜の絶対平均透過率はすべて約90%で,650°Cで作製したa-TiO₂薄膜の光学バンドギャップエネルギーは3.33eVであった。

シソーラス用語： 単結晶 ,  窒化ガリウム ,  サファイア ,  *エピタクシー ,  セラミック膜 ,  化学組成 ,  透過率 ,  エネルギー ,  フォトニックバンドギャップ ,  固体素子 ,  結晶度 ,  基板温度 ,  MOCVD ,  分域構造 ,  *アナターゼ型結晶 ,  *酸化チタン ,  基板 ,  蒸着膜 ,  化学量論 ,  結晶構造 ,  結晶面 ,  結晶方位
準シソーラス用語： ドメイン構造 ,  バンドギャップエネルギー ,  二酸化チタン ,  化学量論組成 ,  結晶方位関係 ,  光電子素子 ,  酸化チタン薄膜

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  サファイヤ基板 ,  単結晶 ,  アナターゼ ,  TiO2 ,  薄膜 ,  成長 ,  特性評価