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J-GLOBAL ID：201702233688177019   整理番号：17A0095296

テラヘルツINPデバイスの研究【JST・京大機械翻訳】

Study of Terahertz InP HEMT Device

著者 (5件)： Liu Yanan (The 13th Research Institute, CETC) ,  Du Guangwei (The 13th Research Institute, CETC) ,  Hu Zhifu (The 13th Research Institute, CETC) ,  Sun Xiguo (The 13th Research Institute, CETC) ,  Cui Yuxing (The 13th Research Institute, CETC)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 8  ページ： 599-603,609  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 長を減少させることによって,INP高電子移動度トランジスタ(HEMT)デバイスのDCとマイクロ波性能を著しく改善し,デバイスの動作周波数をテラヘルツ周波数帯に上昇させることができた。異なるゲートを持つINP HEMTデバイスを作製し、T形技術を用いてデバイスの寄生Zha抵抗を低減し、ゲートとドレインの間隔を小さくすることにより、ドレイン寄生抵抗を更に減少させた。DC,マイクロ波および寄生抵抗の性能を,異なるゲートサイズのデバイスの間で比較した。試験結果により,長は減少し,デバイスの飽和電流,DC相互コンダクタンス,AC相互コンダクタンスおよび遮断周波数が大きくなると,デバイスの遅延,遅延時間および寄生抵抗が小さくなることを示した。最後に,INP HEMTデバイスをモデル化し,シミュレーション結果は試験結果と良く一致した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 遮断周波数 ,  HEMT ,  マイクロ波 ,  モデリング ,  相互コンダクタンス ,  *テラヘルツ波 ,  シミュレーション ,  周波数帯
準シソーラス用語： 遅延時間 ,  飽和電流 ,  寄生抵抗 ,  動作周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： terahertz ,  InP ,  high electron mobility transistor (HEMT) ,  characterization ,  model

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： テラヘルツ ,  InP ,  研究