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J-GLOBAL ID：201702233901651752   整理番号：17A0047728

二重周波数C-VとI-V測定を組み合わせた5要素モデルによる新しいMOS容量補正法

A New MOS Capacitance Correction Method Based on Five-Element Model by Combining Double-Frequency ${C}-{V}$ and $I$ - $V$ Measurements

著者 (6件)： Zhang Xizhen (Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, China) ,  Cheng Chuanhui (Dalian University of Technology, Dalian, China) ,  Zhu Huichao (Dalian University of Technology, Dalian, China) ,  Yu Tao (Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, China) ,  Zhang Daming (Jilin University, Changchun, China) ,  Chen Baojiu (Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 10  ページ： 1328-1331  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に薄い誘電体MOSコンデンサに対して,MOSコンデンサ抽出に及ぼす界面層の影響は無視できない。筆者らは,MOS容量,並列抵抗,直列抵抗,界面容量,および界面抵抗を含む5要素モデルに基づく薄型誘電体MOSコンデンサの新しい補正方法を報告した。本方法は,二重周波数C-VとI-Vの測定データを組み合わせる必要があった。5要素モデルと2要素モデルのインピーダンスを比較して,筆者らは5つの特性式を得た。これらの方程式から,5次方程式を導出し,5つの要素すべてに対して正確な数値解を提供した。さらに,筆者らはAl/ZrO₂/IL/n-Siコンデンサ(IL:界面層)への応用を実証した。補正後,蓄積時のMOS容量の周波数分散と上昇(またはロールオフ)は消滅した。本補正方法は他の方法より優れていた。5要素モデルの5つのパラメータは,すべて物理的に合理的な値を有した。比誘電率(εr)および誘電損失(tanδ)も計算した。これらの結果は,本新補正方法の妥当性および自己無どう着性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,  数値解法 ,  *分散【dispersion】 ,  *誘電率 ,  誘電損失 ,  周波数 ,  境界層 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： *MOSコンデンサ ,  数値解 ,  *周波数分散 ,  *比誘電率 ,  二重周波数 ,  界面層 ,  直列抵抗

分類 (1件)： R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重周波数 ,  要素 ,  モデル ,  MOS ,  補正法