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J-GLOBAL ID：201702233904986010   整理番号：17A0704649

高性能薄膜太陽電池の背面電極としての新規MoS_2ベースハイブリッド膜【Powered by NICT】

A novel MoS₂-based hybrid film as the back electrode for high-performance thin film solar cells

著者 (6件)： Yuan Sheng (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, China. [e-mail]) ,  Zhang Ming-Jian ,  Yang Xiaoyang ,  Mei Zongwei ,  Chen Yongji ,  Pan Feng
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 38  ページ： 23415-23421  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 代表的な二次元遷移金属二カルコゲン化物,MoS_2はそのユニークな層状構造と電子構造のために大きな関心を得ている。本研究では,新しいMoS_2ベースハイブリッド薄膜はMoS_2NMPハイブリッド粒子の無秩序積層,主にSHC水素結合を通してほぼ平行様式で積層MoS_2(NMP)3分子で構成されていたにより構築した。興味深いことに,Au(5.32 eV),とp型半導体特性を持つユニークな厚さに依存する伝導率より高い仕事関数(5.42 eV)を提案した。CdTe太陽電池のバック接点としてこれを用いて,効率は従来の電池に比べて2.6%改善され,主に短絡電流密度(J_sc)における大きな改善であった。ソーラ性能におけるこの大きな改善は,CdTe/MoS_2薄膜界面とそのユニークな厚さに依存する伝導率での整合エネルギー準位に起因した。TMDベース材料の広範な応用のための新しい方向を開くものである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  *電池 ,  *薄膜 ,  仕事関数 ,  水素結合 ,  テルル化カドミウム ,  層状組織 ,  半導体 ,  *太陽電池 ,  電子構造
準シソーラス用語： 短絡電流密度 ,  伝導率 ,  *ハイブリッド膜 ,  *裏面電極 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  薄膜太陽電池 ,  背面電極 ,  ハイブリッド膜