Siフォトニクス応用のための背面統合された不均一ハイブリッドIII-V/Si DBRレーザの初めての実証【Powered by NICT】

Durel J.; Ben Bakir B.; Jany C.; Cremer S.; Szelag B.; Bria T.; Larrey V.; Sanchez L.; Brianceau P.; Dallery J.-A; Guiavarch R.; Card T.; Thibon R.; Broquin J.-E.; Bouf F.

文献

J-GLOBAL ID：201702234182079715 整理番号：17A0214285

Siフォトニクス応用のための背面統合された不均一ハイブリッドIII-V/Si DBRレーザの初めての実証【Powered by NICT】

First demonstration of a back-side integrated heterogeneous hybrid III-V/Si DBR lasers for Si-photonics applications

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著者 (15件)：

Durel J.

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資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

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巻： 2016 号： IEDM ページ： 22.2.1-22.2.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

抄録/ポイント
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本論文では,SOIウエハの背面にIII-V/Siハイブリッドレーザの統合を初めて実証した。この統合はSi導波路集積とCMOS前面金属相互接続との互換性を維持し,受動的および能動的フォトニックデバイス設計を活用が可能になった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語：

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(NC03030V)

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