文献

J-GLOBAL ID：201702234304000754   整理番号：17A0855225

ZnS薄膜とZnS/p-Siヘテロ接合太陽電池の作製【Powered by NICT】

Preparation of ZnS thin films and ZnS/p-Si heterojunction solar cells

著者 (9件)： Qiu Kaifu (Institute for Solar Energy Systems, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Qiu Depeng (Shun De-SYSU Institute for Solar Energy Systems, Shun De 528300, China) ,  Cai Lun (Institute for Solar Energy Systems, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Li Shenghao (Institute for Solar Energy Systems, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Wu Weiliang (Institute for Solar Energy Systems, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Liang Zongcun (Institute for Solar Energy Systems, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Liang Zongcun (Shun De-SYSU Institute for Solar Energy Systems, Shun De 528300, China) ,  Shen Hui (Institute for Solar Energy Systems, Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China) ,  Shen Hui (Shun De-SYSU Institute for Solar Energy Systems, Shun De 528300, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 198  ページ： 23-26  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸発法により調製した硫化亜鉛(ZnS)薄膜の形態,光学および組成特性を調べた。堆積したZnS薄膜は良好な平滑性を示し,(111)優先配向を示した。Zn=49.98%と50.02%の原子濃度はXPSスペクトルから計算した。3.72eVのバンドギャップは,光透過スペクトルから推定した。水素をドープしたAZO(HAZO)/ZnS/テクスチャ化Siヘテロ接合太陽電池の電力変換効率(PCE)は8.83%であり,これは著者らの知る限りこれまで最良である。カプセル化なしの太陽電池は,2400時間以上の分解を示し,素子の良好な安定性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 水素 ,  蒸発 ,  *太陽電池 ,  スペクトル ,  *硫化亜鉛 ,  ドーピング ,  形態 ,  バンドギャップ ,  *薄膜 ,  平滑度 ,  優先配向 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  光透過スペクトル ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ZnS薄膜 ,  半導体 ,  物理蒸着 ,  組織化したp-Si ,  ヘテロ接合 ,  太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnS ,  薄膜 ,  Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  作製