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J-GLOBAL ID：201702234382984457   整理番号：17A0405703

有機薄膜トランジスタのためのヒステリシスがないジルコニウムオリゴシロキサンハイブリッド材料の合成と特性化【Powered by NICT】

Synthesis and characterization of hysteresis-free zirconium oligosiloxane hybrid materials for organic thin film transistors

著者 (4件)： Wang Yuedan (College of Materials Science and Engineering, Wuhan Textile University, Wuhan, 430200, China) ,  Wang Dong (College of Materials Science and Engineering, Wuhan Textile University, Wuhan, 430200, China) ,  Qing Xing (College of Materials Science and Engineering, Wuhan Textile University, Wuhan, 430200, China) ,  Kim Hongdoo (Department of Advance Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, 446-701, Republic of Korea)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 223  ページ： 226-233  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジルコニウムオリゴシロキサン樹脂を有機薄膜トランジスタ(OTFT)への応用のためのゾル-ゲル反応とUV硬化により合成した。合成した樹脂は,長期安定性と耐久性,これはSi基板上に滑らかな被覆を生成するために容易に加工することができた。膜の誘電率はジルコニウム含有量の変化に応じて2.46から4.67に増加した。さらに,2MV/cmで10~-6 10~ 7cm~2の低い漏れ電流密度が得られた。ペンタセン系OTFTを,ゲート誘電体層として合成したハイブリマを用いて作製し,それらの性能はジルコニウムとシロキサンの比を調整することにより最適化した。ジルコニウムオリゴシロキサンゲート絶縁体をもつ有機薄膜トランジスタは低印加電圧,高いオン/オフ比,およびほぼ無ヒステリシス伝達特性で増大した移動度を有する優れた性能を示すことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 移動度 ,  絶縁材料 ,  誘電率 ,  *ヒステリシス ,  *ジルコニウム ,  *キャラクタリゼーション ,  *シロキサン ,  耐久性 ,  ゲート絶縁膜 ,  絶縁体 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *ハイブリッド材料 ,  印加電圧 ,  シリコンウエハ ,  長期安定性 ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： OTFT ,  ゲート絶縁体 ,  ハイブリッド材料 ,  ヒステリシスのない

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機薄膜トランジスタ ,  ヒステリシス ,  特性化