文献

J-GLOBAL ID：201702234619348650   整理番号：17A0444816

Kをドープした0.75BiFeO_3O25BaTiO_3鉛フリーマルチフェロイクスの磁化値の有意な向上【Powered by NICT】

Significant enhancement in magnetization value of the K-doped 0.75 BiFeO₃-0.25 BaTiO₃ lead-free multiferroics

著者 (6件)： Abdul Kader S.M. (Department of Physics, Sadakathullah Appa College, Tirunelveli 627011, India) ,  Abdul Kader S.M. (Department of Physics, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli 627012, India) ,  Jain Ruth D.E. (Department of Physics, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli 627012, India) ,  Veera Gajendra Babu M. (Department of Physics, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli 627012, India) ,  Bagyalakshmi B. (Department of Physics, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli 627012, India) ,  Sundarakannan B. (Department of Physics, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli 627012, India)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 190  ページ： 270-272  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉛フリー0.75BiFeO_3 0.25BaTiO_3マルチフェロイックの構造と磁気的性質に及ぼすカリウムドーピングの影響を調べた。典型的な強磁性ヒステリシスループが菱面体構造のゆがみの増加が原因となったスピンサイクロイドの抑制に起因する磁化の連続的増加が観察された。5.55emu/gの残留磁化(Mr)は0.10試料,ドープしたBiFeO_3 BaTiO_3(BFO BT)システムのための文献で報告されたMr値の中で最高で,達成された。Mr(~1100%)と抗電場の顕著な減少(~63%)における顕著な促進はKドープ0.75BiFeO_3 0.25BaTiO_3マルチフェロイックは記憶デバイス応用のための有望な候補であることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁気的性質 ,  残留磁化 ,  磁気 ,  強磁性 ,  抗電場 ,  記憶装置 ,  *磁化 ,  ゆがみ ,  *ドーピング
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  *磁性強誘電体 ,  *鉛フリー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： BiFeO_3 BaTiO_3 ,  セラミックス ,  FTIR ,  磁気

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  鉛フリー ,  マルチフェロイクス ,  磁化