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J-GLOBAL ID：201702234945343378   整理番号：17A0448896

高誘電同調性を用いたBMNベース透明キャパシタ【Powered by NICT】

BMN-based transparent capacitors with high dielectric tunability

著者 (3件)： Yu Shihui (School of Electronic and Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China) ,  Li Lingxia (School of Electronic and Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China) ,  Zheng Haoran (School of Electronic and Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 68-72  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SbドープSnO_2/Ag/Bi-1.5MgNb_1 5O_7/WドープSnO_2構造とその観測された誘電可変同調特性を用いた高誘電可同調性を有する新しい透明キャパシタの作製を述べた。この種Bi_1 5MgNb_1 5O_7ベース透明キャパシタのは可視光領域(380 780 nm)における~80%(基板を含めて)の平均光透過率,および100kHzで~18%(0.83 MV/cm)の誘電同調率を示したが,誘電定数と損失正接は零バイアス電界で約87および0.0032であった。透明キャパシタは0.4MV/cmで漏れ電流密度約5.8×10~ 7cm~2を示した。Bi_1 5MgNb_1 5O_7ベースキャパシタを透明電場可変同調デバイス応用のための有望な候補であると信じている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  *同時性 ,  電場 ,  誘電率 ,  *コンデンサ ,  損失正接 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 漏れ電流密度 ,  同調率 ,  光透過率 ,  可視領域 ,  チューナビリティ ,  可変同調 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： セラミックス ,  蒸着 ,  誘電応答 ,  光学的性質 ,  薄膜

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  静電機器  (NB10020R) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 同調性 ,  BMN ,  キャパシタ