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J-GLOBAL ID：201702235030790008   整理番号：17A0735159

3 MV 自Ou式型イオン化スイッチの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of 3 MV UV illumination switch

著者 (6件)： Li Junna (North-west Institute of Nuclear Technology) ,  Xue Binjie (North-west Institute of Nuclear Technology) ,  Jia Wei (North-west Institute of Nuclear Technology) ,  Chen Weiqing (North-west Institute of Nuclear Technology) ,  Tang Junping (North-west Institute of Nuclear Technology) ,  Qiu Aici (North-west Institute of Nuclear Technology)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 21  号： 8  ページ： 1255-1258  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,高出力装置に適用される三直列3MV 自Ou式のイオン化スイッチを,予備イオン化技術とRC結合回路に基づいて開発した。このスイッチは,予備と化から構成される。同じスイッチのパルス電圧における破壊データに基づいて,3MVスイッチのギャップ距離を推定し,スイッチの主ギャップの電界不均一性係数は1.58であった。ステップ遮蔽技術を用いて,スイッチの有機電界の最大電界は50KV/CM未満であり,設計の要求を満たすことができた。理論的シミュレーション結果により,0.1~0.7MPAの範囲内で,予備イオン化ギャップ電圧は,0.1~0.7MPAの範囲内で,絶縁破壊電圧よりも大きく,そして,それは,靠預のイオン化を保証することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 予備イオン化 ,  不均一性 ,  *イオン化 ,  結合回路 ,  シミュレーション ,  *スイッチ ,  電圧 ,  出力装置 ,  電場
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  パルス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： pulsed gas switch ,  UV illumination ,  insulation ,  field distribution ,  pulsed power technology

分類 (2件)： 気体放電  (BJ03020T) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (2件)： イオン化 ,  設計