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J-GLOBAL ID：201702235228741133   整理番号：17A0353306

スパッタリングパワーがPET基板上のZNO:GA薄膜の調製に及ぼす影響を調べた。【JST・京大機械翻訳】

The Influence of Different RF Sputtering Power on ZnO:Ga Film Deposited on Flexible Substrate PET

著者 (6件)： Xu Chengzhang (Department of Mechanical and Electronic Engineering, Jingdezhen Ceramic Institute) ,  Hu Yuehui (Department of Mechanical and Electronic Engineering, Jingdezhen Ceramic Institute) ,  Chen Yichuan (Department of Mechanical and Electronic Engineering, Jingdezhen Ceramic Institute) ,  Hu Keyan (Department of Mechanical and Electronic Engineering, Jingdezhen Ceramic Institute) ,  Fan Jianbin (Department of Mechanical and Electronic Engineering, Jingdezhen Ceramic Institute) ,  Guo Shengli (Department of Mechanical and Electronic Engineering, Jingdezhen Ceramic Institute)
資料名： Taoci Xuebao  (Taoci Xuebao)
巻： 37  号： 2  ページ： 152-157  発行年： 2016年 
JST資料番号： C3005A  ISSN： 2095-784X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 室温でのRFマグネトロンスパッタリングにより,ZNO/ZNO基板上にZNOを調製した。GA(GZO)透明導電膜を調製した。薄膜の構造,内部応力,光学的および電気的性質に及ぼすスパッタリングパワーの影響を研究し,サンプルをテストした。XRDの結果,GZO膜は六方晶構造を有し,良好なC軸優先配向成長を示したが,回折角は明らかにシフトし,薄膜の内部に大きな応力が存在することが判明した。SEMの結果は,薄膜の表面には,良好な結晶粒度と緻密性があり,スパッタリングパワーが増加するにつれて,結晶粒度が規則的に変化することを示した。膜の平均透過率は85%で,最低抵抗率は7.1×10(-3)ΩCMであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶粒度 ,  透明導電膜 ,  六方晶系 ,  透過率 ,  内部応力 ,  優先配向 ,  *薄膜 ,  電気抵抗率 ,  電気的性質 ,  回折
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZnO films ,  polyethylene terephthalate (PET) ,  sputtering power ,  internal stress

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタリング ,  パワー ,  PET ,  ZnO ,  Ga ,  薄膜 ,  調製