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J-GLOBAL ID：201702235251479508   整理番号：17A0214355

フィードバック設計された絶縁体への金属転移素子を用いた低電圧人工ニューロン【Powered by NICT】

Low-voltage artificial neuron using feedback engineered insulator-to-metal-transition devices

著者 (8件)： Lin J. (Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA) ,  Annadi A. (Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA) ,  Sonde S. (Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA) ,  Chen C. (Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA) ,  Stan L. (Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA) ,  Achari K.V.L.V (School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907 USA) ,  Ramanathan S. (School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907 USA) ,  Guha S. (Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 34.5.1-34.5.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は前例のない低電圧(0.8 V)で動作する絶縁体-金属(IMT)遷移材料要素に基づく固体スパイク人工ニューロンを実証した。実験結果を正確に予測するためにIMTベースデバイスのための一般的結合電気-熱デバイスモデルを開発した。実験とシミュレーションから,サブ0.3Vに電圧スケーラビリティであるIMTに基づくニューロンのスケーリングにより可能であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 固体素子モデル ,  *絶縁材料 ,  *電圧 ,  *ニューロン ,  *フィードバック ,  *絶縁体
準シソーラス用語： *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： フィードバック ,  設計 ,  絶縁体 ,  低電圧 ,  人工ニューロン