β位を経て結合したナフタレン置換基:拡張共役部分対称性を破るベンゾジチオフェンベース高分子太陽電池の光学バンドギャップと開路電圧の間の良好なトレードオフを達成することができる【Powered by NICT】

Liu Deyu; Gu Chunyang; Wang Junyi; Zhu Dangqiang; Li Yonghai; Bao Xichang; Yang Renqiang

文献

J-GLOBAL ID：201702235379635428 整理番号：17A0705318

β位を経て結合したナフタレン置換基:拡張共役部分対称性を破るベンゾジチオフェンベース高分子太陽電池の光学バンドギャップと開路電圧の間の良好なトレードオフを達成することができる【Powered by NICT】

Naphthalene substituents bonded via the β-position: an extended conjugated moiety can achieve a decent trade-off between optical band gap and open circuit voltage in symmetry-breaking benzodithiophene-based polymer solar cells

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資料名：
巻： 5 号： 19 ページ： 9141-9147 発行年： 2017年
JST資料番号： W0204B ISSN： 2050-7488 CODEN： JMCAET 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

非対称ベンゾジチオフェン(BDT)ビルディングブロックに及ぼす側鎖置換基としてのα-およびβ-位を経て結合した裸のナフタレン単位を,初めて,新規な集光性高分子の設計に用いた。二D-A型高分子,アクセプタ単位としてのDビルディングブロックと良く知られた4,7-ジ(チオフェン-2-エチルヘキシル)-5,6-ジフルオロ-2,1,3-ベンゾチアジアゾール(DT_ffBT)としてのナフチル置換B DTに基づく,を合成した。β位を経て結合したナフタレンを有する高分子PBDTβNPFBTは適切なπ-π距離を示した。ナフタレン環を効率的に吸収を広げ,光学バンドギャップ(E)を,π共役の程度,より多くの光子を捕捉し,従って短絡電流密度(J_SC)を改善するのに有益であることを拡張した。PBDTβNPFBTベースデバイスは,望ましい高い開回路電圧(V_OC)を示し,正確に適切なπ-π距離から生じる低い飽和暗電流密度(J_S)によるものであった。その結果,PBDTβNPFBT/PC_71BMベースPSCの9.80%の電力変換効率(PCE)は報告されたBDTとDTBT骨格光起電力高分子の中でこれまで得られた最高の効率である。添加では,7.33%のPCEはどの処理,非フラーレンPSCのための印象的なもないPBDTβNPFBT/ITICで得られた。,β-位を経て結合したナフチルユニットは,EとV_OCの間のより良いトレードオフをもたらす可能性があると結論され,最終的にPCEを劇的に増大させることができる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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太陽電池

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