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J-GLOBAL ID：201702235403810351   整理番号：17A0171594

10GBIT/S-FPレーザダイオードチップの設計と製作【JST・京大機械翻訳】

Design and Fabrication of the 10 Gbit/s-FP Laser Diode Chip

著者 (5件)： Zhang Xiaoguang (The 13th Research Institute, CETC) ,  Zhao Run (The 13th Research Institute, CETC) ,  Cao Chentao (The 13th Research Institute, CETC) ,  Che Xianghui (The 13th Research Institute, CETC) ,  Li Qingwei (The 13th Research Institute, CETC)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 11  ページ： 827-830,874  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： レーザダイオードレート方程式のシミュレーションにより,高周波性能を最適化する基本的経路を得て,DC特性と実際の生産プロセスを考慮して,共振器の反射率,共振器長さ,および量子井戸構造を最適化した。レーザダイオードの小信号等価回路モデルを確立し,チップ寄生ネットワークを最適化した。25~125°Cの温度範囲でのチップのI特性を試験し,25°Cでのチップの閾値電流はわずか7.4MAであった。チップ温度が25~45°Cのとき,特性温度は102Kであった。チップ温度が105~125°Cのとき,特性温度は57Kであった。25°Cと85°Cにおいて,30MAのDCバイアスにおけるレーザダイオードの応答は,それぞれ12.8と10.4GHZであった。チップは,封装為光の送信モジュール(TOSA)の後に,-40,25および85°Cで,10GBIT/S光通信システムの要求条件を満たすことができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  量子井戸 ,  *半導体レーザ ,  生産プロセス ,  レート方程式 ,  バイアス ,  共振器 ,  ネットワーク ,  HF【周波数】 ,  送信 ,  反射率
準シソーラス用語： 光通信システム ,  閾値電流 ,  温度範囲 ,  等価回路モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 10 Gbit/s ,  laser diode ,  model ,  communication ,  low cost

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： レーザダイオード ,  設計 ,  製作