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J-GLOBAL ID：201702235586973582   整理番号：17A0445380

強誘電体応用のためのCzochralski法で成長させたK_2ZnCl_4単結晶の固有偏光の決定【Powered by NICT】

Determination of intrinsic polarization for K₂ZnCl₄ single crystal grown by Czochralski technique for ferroelectric applications

著者 (6件)： Kumar Sonu (Crystal Lab, Department of Physics & Astrophysics, University of Delhi, Delhi-7, India) ,  Ray Geeta (Crystal Lab, Department of Physics & Astrophysics, University of Delhi, Delhi-7, India) ,  Ray Geeta (Physics Department, Miranda House, University of Delhi, Delhi-7, India) ,  Sinha Nidhi (Crystal Lab, Department of Physics & Astrophysics, University of Delhi, Delhi-7, India) ,  Sinha Nidhi (Department of Electronics, SGTB Khalsa College, University of Delhi, Delhi-7, India) ,  Kumar Binay (Crystal Lab, Department of Physics & Astrophysics, University of Delhi, Delhi-7, India)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 190  ページ： 120-127  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： K_2ZnCl_4(KZC)の大型単結晶をCzochralski(Cz)法で成長させた。KZCの構造パラメータを単結晶X線回折(SCXRD)により決定した。DSC分析及び温度依存誘電測定から,KZC結晶は151°CでCurie相転移を示すことが分かった。TG/DTAは443°Cであることが分かった融点を確認した。KZC結晶の圧電電荷係数(d_33)の値は変換器と圧電素子におけるそれらの適用性を示す32pC/Nであることが分かった。成長した結晶のための強誘電体P-Eループを室温で追跡し,PUND測定によって得られた固有分極は0.1398μC/cm~2スイッチング素子への適用性を示していることが分かった。KZC単結晶のエネルギーバンドギャップは6.13eVであることが分かった。Vickers微小硬さ試験はKZC単結晶の性質を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *結晶 ,  *Czochralski法 ,  バンドギャップ ,  圧電気 ,  適応性 ,  *単結晶 ,  電荷 ,  温度依存性 ,  *偏光 ,  *強誘電体 ,  スイッチング素子 ,  融点 ,  構造パラメータ
準シソーラス用語： 誘電測定 ,  単結晶X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 誘電体 ,  強誘電性 ,  固有偏光 ,  高バンドギャップ

分類 (3件)： 有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  有機天然化合物の結晶構造  (BK08050M) ,  アミノ酸  (CF10070V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  応用 ,  Czochralski法 ,  成長 ,  単結晶