100/200 Gb/sのプラグ接続可能なコヒーレントトランシーバ用のInPベースモノリシック集積技術

YAGI Hideki; YAGI Hideki; YONEDA Yoshihiro; EKAWA Mitsuru; SHOJI Hajime

文献

J-GLOBAL ID：201702235642690495 整理番号：17A0504159

100/200 Gb/sのプラグ接続可能なコヒーレントトランシーバ用のInPベースモノリシック集積技術

InP-Based Monolithic Integration Technologies for 100/200Gb/s Pluggable Coherent Transceivers

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資料名：
巻： E100.C 号： 2 ページ： 179-186(J-STAGE) 発行年： 2017年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

本論文では,100/200 Gb/sコヒーレント送信用のInPベースモノリシック集積技術を用いて90°ハイブリッドと集積した,二重偏波同相/直交(DP-IQ)変調器及び光検出器について報告した。DP-IQ変調器を,ドライエッチング及びベンゾシクロブテン平坦化プロセスにより形成した深いリッジ導波路からなるマッハツェンダ変調器アレイと,モノリシック集積した。このDP-IQ変調器は,低い半波長電圧(V_π=1.5V)及び広い3dB帯域幅(f_3dB>28GHz)を示した。多モード干渉構造からなる90°ハイブリッドとモノリシック集積した光検出器を,バットジョイント再成長により実現した。導波路内の全損失7.9dBを含む応答性は,1550nmの波長で0.155A/Wと高く,同相チャネルと直交チャネルの応答の不均衡はCバンド全域において±0.5dB未満であった。また,選択的埋め込み再成長により形成した埋設ヘテロ構造を持つPINフォトダイオードアレイに対する5000h以上の加速劣化試験(試験条件:-5V,175°C)において,暗電流(-3.0Vにおいて85°Cまで500pA未満)及び安定動作の実現に成功した。最後に,スポットサイズ変換器の集積により,偏光ビームスプリッタにおける3dBの固有損失を含む受信器の応答性は,波長1550nmにおいて0.070A/Wを上回った。そして,90°ハイブリッドと集積したこの光検出器を用いて,128Gb/sのDP-QPSK及び224Gb/sのDP-16QAMで変調した信号の復調を,小型コヒーレント受信器に対して実証した。これにより,これらのInPベースのモノリシック集積フォトニックデバイスが,100/200 Gb/sのプラグ接続可能なコヒーレントトランシーバに対して非常に有用であることを示すことができた。(翻訳著者抄録)

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集積回路一般 , その他の光伝送素子 , 移動通信

引用文献 (25件)：

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