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J-GLOBAL ID:201702235681972705   整理番号:17A1138712

2温度成長法で作製したGaAsBi/GaAs多重量子井戸LEDの温度特性

著者 (8件):
資料名:
巻: 78th  ページ: ROMBUNNO.5p-C21-3  発行年: 2017年08月25日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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発光素子  ,  半導体薄膜 

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