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J-GLOBAL ID：201702235760059454   整理番号：17A0214317

THzエレクトロニクスのための130nm InPH BT集積回路技術【Powered by NICT】

A 130 nm InP HBT integrated circuit technology for THz electronics

著者 (8件)： Urteaga M. (Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA) ,  Hacker J. (Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA) ,  Griffith Z. (Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA) ,  Young A. (Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA) ,  Pierson R. (Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA) ,  Rowell P. (Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA) ,  Seo M. (SungKyunKwan University, Seoul, South Korea) ,  Rodwell M. J. W. (Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 29.2.1-29.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 600>GHzで回路実証できる開発した130nm InPH BT IC技術。トランジスタはRF性能指数f_t>500GHzとf_max>1THzを実証した。H BTは共通エミッタ破壊電圧BV_ceo=3.5Vの高電流密度>25mA/μm~2を支持する技術は低損失THz信号ルーティングと高集積密度の可能なマルチレベル薄膜配線環境を含んでいる。THz周波数で回路性能を正確に予測できる開発した大信号H BTモデル。回路実証は,統合された送信機と受信機回路として600>GHzでの基本発振器と増幅器を含んでいる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 受信機 ,  回路特性 ,  電流密度 ,  発振器 ,  配線 ,  トランジスタ ,  経路選定 ,  増幅器 ,  性能指数 ,  送信機 ,  *電子技術 ,  通信操作
準シソーラス用語： 大信号 ,  マルチレベル ,  絶縁破壊電圧 ,  *集積回路技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： エレクトロニクス ,  iNPH ,  BT ,  集積回路技術